基本公司SiC碳化硅MOSFET正在替代高壓變頻器的IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造高壓變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊升級傳統IGBT模塊高壓變頻器，實現更高的高壓變頻器效率，更小的高壓變頻器體積重量！更低的高壓變頻器成本！
 
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050... [詳細介紹]